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知识就是力量2019年第1期  文章正文

22纳米

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22纳米

  国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”已通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制,光刻分辨力达到22纳米,结合双重曝光技术后,未来还可用于制造10纳米级别的芯片。
科研人員展示利用超分辨光刻设备加工的超导纳米线单光子探测器

  中科院理化技术研究所许祖彦院士等验收组专家一致表示,该光刻机在365纳米光源波长下,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。项目副总设计师胡松介绍,中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备,打破了传统路线格局,形成一条全新的纳米光学光刻技术路线,具有完全自主知识产权,为超材料/超表面、第三代光学器件 ……阅读全文

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